“G3VM-21MT”，該產品是采用“T型電路結構”（一種電路結構，常用于衰減器等電子器件以使漏電流最小化），T型電路結構由體積小、壽命長的固態(tài)繼電器組成，無需物理接觸即可輸出信號，繼電器模塊可將長期以來半導體測試設備存在的泄漏電流（電路內部的一種狀態(tài)，電流通過絕緣層泄漏）降至最低。G3VM-21MT可實現(xiàn)高精度測量，提高電子元件的生產效率。
G3VM-21MT具有如下特征：
首先，可通過將泄漏電流降至1pA或更低，提高設備可靠性。漏電流一直是半導體繼電器的一個長期缺點，G3VM-21MT通過將漏電流降至1pA或更低來幫助解決這個問題。
其次，G3VM-21MT成功地實現(xiàn)了低于或等于0.1pA水平的實際性能，同時最大限度地降低了對應用測量精度的影響。
第三，壽命更長，維護頻率顯著降低。G3VM-21MT繼電器模塊的輸出電路由半導體MOS-FET繼電器組成，沒有物理觸點，因此不需要對觸點進行磨損或磨損維護，因為電路的打開和關閉不會產生電弧放電。
最后，可減少安裝空間-通過節(jié)省空間和電線進行高密度安裝。G3VM-21MT將輸入輸出電路的復雜接線圖融入到內部模塊中，實現(xiàn)了5mm×3.75mm×2.7mm的緊湊尺寸，最終簡化了應用的PCB布線。
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